Nd2(Co1-xFex)17-yCr y化合物的结构和磁性研究

利用X射线衍射和磁性测量研究Nd₂(Co_1-x Fe_x)_17-yCr_y化合物的结构和磁性. 实验结果表明， 这些化合物都具有Th₂Zn₁₇型结构， Cr和Fe替代Nd₂Co ₁₇化合物中Co并未改变晶体结构， 但能引起晶格膨胀. 所有化合物在室温下都表现为易面各向异性. 化合物的居里温度 随着Fe含量的增加和稳定元素Cr含量的减小而升高， 在x=0.5和y=3.3时达到最大值， 而后逐渐减小.     

Fe-B-Si非晶合金晶化过程分析

采用DSC法测定了铁基非晶合金Fe_(78)B_(13)Si_9在连续加热条件下的晶化温度。并用透射电镜、X射线衍射仅、俄歇电子谱仪对Fe_(78)B_(13)Si_9非晶合金的淬态组织及晶化过程进行了较深入的研究。在淬态非晶合金中发现了极少量的晶化相FeAl_3。晶化过程中会出现二种形式的亚稳晶化相FeB和Fe_3B。最终得到的稳定晶化相为α-Fe(si)+Fe_2B+FeSi_2。     

新疆什可布台铁矿还原膨胀机理

用X光透射装置研究煤还原新疆什可布台矿还原膨胀特性,发现反应性好的义马煤还原矿石发生恶性膨胀。用光学显微镜和扫描电镜观察了还原后矿石的微观结构变化,电镜下观察到“铁晶须”的存在。X射线衍射分析测量晶胞常数表明,铁氧化物晶格中渗入了杂质,促使“铁晶须”的生长,导致矿石还原时出现恶性膨胀。高温快速还原能减轻膨胀,降低粉化率。     

多晶α—氧化铝粉末易烧结性能分析

用多晶X射线粉末衍射技术和物理、化学分析方法,对多晶α-氧化铝亚微米级粉末材料的易烧结性能进行了测量和分析.探讨α-氧化铝粉末材料的易烧结性能与α-氧化铝的纯度、粒径、粒度分布和粒子形状的关系,并分析了易烧结α-氧化铝陶瓷制品的成形及烧结工艺条件对材料易烧结性能的影响.     

辐照金属氦脆的非平衡统计理论

运用非平衡态统计物理学方法建立了辐照金属氦脆断裂的统计理论.利用辐照金属中氦泡密度分布函数和氦泡的平均断裂半径,讨论辐照金属氦脆断裂的宏观性质,包括材料的断裂几率,可靠性、材料的肿胀率、材料寿命及断裂延伸率.得到理论与实验结果较好的符合。     

磁增注参数的优化

本文以磁感应强度、每个磁化器中磁感应强度的峰数、磁处理次数(级数)和流动速度等为影响因素.以滤膜系数、透光率指数为指标.用正交试验设计法.按L_16(4~4)正交表安排试验.研究了孤东油田磁增注的优化参数.另外.以垢的溶解度和油水界面张力为指标.进行了单因素试验.综合多因素和单因素的试验结果.找出黄河原水和回注污水的磁增注优化参数.提出了磁增注的两级处理方案.按磁增注优化参数进行了矿场试验.取得了好的效果.     

PET纤维结晶度和晶粒大小的研究

大角X射线衍射法估算纤维的结晶度和晶粒表现尺寸时,一般采用的方法是把归一化的衍射强度曲线分解为一个以多项式表示的非晶部分散射曲线及几个以高斯函数和柯西函数组合起来表示的结晶峰;分峰之后,试样的结晶度一般用峰面积结晶度即解析峰下面经归一化的散射对未经解析而归一化的曲线下的总散射的面积比率求得.结晶表现尺寸从相应的结晶峰半高宽求得.但上述的分峰方法得不到分峰结果的唯一解.本研究工作采纳前人提出的PET结晶样品X射线衍射强度曲线所包含的非晶部分曲线的一系列理论和经验的假设,作为物理制约条件,进而与数学上的满足条件相结合,在进行分峰时,可以解出数学上符合δ<3%的精度、物理意义上符合客观存在的解.并通过对PET纤维的研究,对上述方法作了证实.     

W，V对Fe－Cr－Mn奥氏体钢辐照诱起晶界偏析和相稳定性的作用

利用电子束辐照Ｆｅ－Ｃｒ－Ｍｎ（Ｗ，Ｖ）合金的结果表明，添加原子半径尺寸大的溶质元素Ｗ和Ｖ，可形成大量微细碳化物，增多相界面即增加基体中尾闾数目，能有效降低合金基体中点缺陷过饱和浓度，减少空洞肿胀；同时有利于形成高密度位错环，减少它们相互间的间距，缩短点缺陷向尾闾移动扩散的平均自由程，导致点缺陷捕获溶质原子的机会减少，进而抑制辐照诱起晶界偏析，提高合金γ相稳定性。     

聚硅氧烷类侧链型高分子液晶的合成与表征

合成了对－（４－烯丙氧基苯甲酰氧基）苯甲酸联苯酚酯，将其与聚甲基氢硅氧烷反应得到侧链型液晶聚硅氧烷。用红外及＾１Ｈ－ＮＭＲ方法证实了所合成的单体及聚合物的结构。从ＮＭＲ谱上得出，聚合物含有１７．６％的α－加成侧链，与作者不久前提出的液晶聚硅氧烷一般都含有一定比例的α－加成侧链的推测相吻合。此外还用热台偏光显微镜方法研究了单体与聚合物的相行为。     

纳米晶硅的光电特性

利用ＰＥＣＶＤ方法及后处理工艺制备了具有室温可见光区光致发光效应的纳米晶硅（ｎ－Ｓｉ／ＳｉＯ２）薄膜材料，对其光吸收，光能隙以及电导率等特性参数进行了测试研究。发现该薄膜的可见光区吸收比ＰＥＣＶＥ方法制备的微晶硅，非晶硅等薄膜的光吸收明显减弱，且光能隙增大。而电导率则大大提高，达到１０－１－１０－３ｃｍ－１Ω－１的量级。该材料光学性能的变化可用量子尺寸效应进行定性解释，但其电导率的大幅度增加还有待进一步的研究。